碳化硅粉体中常见的两种晶型，Alpha SiC 和 Beta SiC有什么不同？性能如何？都有什么优势呢？
Alpha SiC 和 Beta SiC有如下区别：
1.在合成这个环节中，Beta SiC的合成温度约1500—1600℃，而Alpha 碳化硅的冶炼温度需要超过2400℃。由于Beta sic冶炼温度要比Alpha sic低得多，因此它的烧结活性要好，颗粒更容易细化和均化，而且可生产大量纳米、亚微米和微米超细粉体。外观颜色也有差异。
2.立方碳化硅又名β-SiC，属立方晶系，其晶体的等轴结构特点决定了该粉体具有比a-SiC好的自然球度和自锐性，因而在精密研磨方面有更好的磨削和抛光效果，在材料，密封制品和军工制品生产时有更优异的密封特性，使其制品有更好的密度。
3.贝塔碳化硅硬度是9.25--9.6，比Alpha SiC要高很多，与金刚石的10接近，是仅次于金刚石的最硬的高性能材料之一，光洁度比金刚石好。立方碳化硅的超高硬度和密度使其可理想地适用于经受高磨损和滑动磨损的部件，适用于各种研磨作用尤其超精密研磨，在精抛光方面，用BetaSiC可提高光洁度。Beta型碳化硅制品研磨精度高、光洁度好，不宜造成划伤，在精细研磨方面表现更为突出。粗抛一般用阿尔法碳化硅即可。
4.Beta碳化硅属低温晶型，1800℃可以发生晶型转换。立方SiC在高达1600℃（3000℃）以上温度是具有超高的强度和优异的抗蠕变、抗断裂性能。作为半导性材料，Beta相的碳化硅比Alpha碳化硅高几十倍，添加后，发电机材料会更好，且耐温好；β-SiC比重比大多数合金小一半，为刚的40%，与铝大致相同。
5.Beta SiC比alpha SiC有更优异的电学性能和制备中的更高纯度，使其在电工材料领域的应用尤其半导体领域的应用更有独特之处。导电、导热方面比Alpha sic好几倍，可以做发热器、热交换器、电暖器，抗热震性很好，不怕忽冷忽热。
beta相碳化硅系列材料一般包括：纳米（≤100nm SiC）、亚微米(100-500nm SiC)、超细微米级（1-15um）碳化硅颗粒粉末，碳化硅晶须，碳化硅纳米线等。
